高滨

清华大学

高滨，清华大学集成电路学院长聘教授、博士生导师，教育部长江学者特聘教授。，2008年本科毕业于北京大学物理系，2013年获得北京大学微电子学与固体电子学专业理学博士学位，2015年加入清华大学微纳电子系。研究方向：新型存储器，器件模型与模拟，设计-工艺协同优化，存算一体与神经形态芯片，信息安全芯片。

罗庆

中国科学院微电子研究所

罗庆现任微电子所重点实验室主任，主要研究方向为国家发展亟缺的新型存储器，作为项目负责人获批国家自然基金委、中国科学院、科技部等多项重大科研项目，代表工作三维垂直结构的阻变存储器入选国际半导体技术路线图（IRDS2017、IRDS2020），引领了阻变存储器垂直三维集成技术的发展方向，被同行评为“近50年来阻变存储器发展历史中的重要事件之一”。以第一或通讯作者在Science、Nature Communications、IEEE EDL/TED、IEDM、VLSI等期刊会议文章43篇，引用2300余次，H因子25，在IEDM/VLSI上发表论文21篇（一作/通信13篇），其中在微电子领域最重要期刊IEEE EDL/TED上发表论文32篇（其中一作/通信15篇）；获授权中国专利18项，美国专利7项。2019年获得国家自然基金优秀青年科学基金支持。

黄芊芊

北京大学

黄芊芊，北京大学集成电路学院长聘教授、博雅特聘教授、博士生导师，教育部长江学者特聘教授。长期从事集成电路超低功耗微纳电子器件及其应用研究，取得了一系列具有国际影响力的学术成果，相关成果被国际半导体技术路线指南引用，并与中芯国际等合作研制了世界上首个基于12英寸CMOS大生产线的超低功耗互补隧穿器件集成技术及电路芯片，多项授权专利转移至中芯国际。曾获中国青年女科学家奖、科学探索奖、求是杰出青年学者奖、IEEE电子器件学会青年成就奖等多项重要奖励和荣誉。担任国家重点研发计划专项课题、国家自然科学基金“集成电路 3~5 纳米节点器件基础问题研究”应急管理重点项目、国家自然科学基金优秀青年科学基金项目等多项国家级项目负责人。担任IEDM等国际会议TPC委员、《中国科学：信息科学》等期刊编委、IEEE EDS VLSI Technology & Circuits等技术委员会委员。

报告题目：新型铪基铁电存储器件及应用

报告摘要：随着万物互联智能时代的到来，高密度、低功耗的数据存储需求对传统存储器技术提出挑战。氧化铪基铁电材料具有微缩性好、CMOS工艺兼容等优势，基于铪基铁电材料的铁电存储器因其具备高速、超低功耗、非易失和高密度潜力近年来引起了学术界和业界的广泛关注。围绕铪基铁电存储器，提出了一种具有高性能的高密度无选择管铪基0T1C新型铁电随机存储器，实现了铪基铁电材料的抗扰动性与自发极化强度等国际领先的综合性能，具有同类工作中最快的完整访存周期和最高的存储密度，为实现高密度高可靠的超低功耗新型非易失存储器奠定了基础。此外，新原理铁电存储器件还可以为系统架构层面新型智能计算等应用提供核心支撑。报告将从基础器件的角度介绍突破现行芯片功耗和能效瓶颈问题的新途径。

许晓欣

中科院微电子所

许晓欣，中国科学院微电子研究所研究员，主要从事新型存储器集成及应用研究，主持自然科学基金委优秀青年项目、北京市科技项目等项目，作为课题负责人承担“科技创新-2030重大项目”、中科科学院先导项目。2018年获得中国科学院杰出科技成就奖，2021年度获华为“奥林帕斯”先锋奖。入选2019年中国科协青年托举工程、2022年中科院青促会优秀会员、2022年“天府峨眉计划”领军人才。目前是国际存储器论坛（International Memory Workshop, IMW）的技术委员会和全国专业标准化技术委员会成员。以第一/通讯作者发表论文32篇，其中包含IEDM/VLSI 10篇，EDL/TED 6篇。获授权中国发明专利21项、美国专利5项。

报告题目：阻变存储器集成及关键技术

报告摘要：存储器是集成电路产业的核心与基石， RRAM 是最有潜力的新型存储器技术之一，介绍阻变存储器的发展现状，包括集成方案与关键技术，分析不同应用对可靠性的需求及其优化策略，针对芯片可靠性分析中，传统物理模型无法涵盖系统及工艺噪声的影响，引入机器学习方法，通过采集存储阵列的电学数据构建多维数据集，建立机器学习算法的可靠性预测模型，并针对不同失效行为开发修复算法，降低存储单元失效率。并进一步分析阻变存储器的发展方向与面临的挑战。

姚鹏

清华大学

姚鹏，清华大学集成电路学院特聘研究员，国家优青，高被引学者。多年来一直从事基于忆阻器的新型存算一体智能硬件系统工作。发表学术论文60篇，授权国内外发明专利10余项。相关成果以第一作者发表在Nature、Science、Nature Communications等顶级期刊，成果同时被ISSCC、VLSI、IEDM等半导体领域顶级会议报道，引用5400余次。研制国际首款多阵列存算一体系统，国际首颗忆阻器存算一体学习芯片，获得2020世界人工智能大会最高奖SAIL奖，获得2022年中国电子学会科学技术奖自然科学一等奖，2020、2023年度中国半导体十大研究进展，获评2023中国新锐科技人物卓越影响奖等。

报告题目：智能计算新范式——忆阻器存算一体技术

报告摘要：随着大模型技术的出现，神经网络权重数据量呈现爆炸式增长的趋势，从而对内存容量和内存带宽的需求越来越强烈。受限于存储与计算分离的架构，传统计算芯片需要从存储器大量读数，造成了严重的功耗浪费和延迟增加，极大的制约了芯片算力和能效的提升。受人类大脑启发，基于忆阻器的存算一体技术已成为打破冯·诺伊曼瓶颈的一种有前景的新型计算范式。本次报告将介绍存算一体架构和芯片发展，以及面向大模型发展的全新设计洞察。报告将覆盖忆阻器存算一体芯片的全栈研究，包括器件开发和工艺集成，电路设计，软件工具，并介绍存算一体片上学习芯片和面向大容量、多任务的通用存算一体NPU架构，同时展望基于芯粒技术的忆阻器存算一体的异构多介质集成机遇。

拜福君

西安紫光国芯技术与项目合作部总监

拜福君，博士，教授级高级工程师，现为西安紫光国芯技术与项目合作部总监，曾任职于西安紫光国芯半导体有限公司产品研发部，历任部门经理、总监，负责多种存储器的阵列设计工作。清华大学电子科学与技术专业学士、硕士，西安交通大学电子与信息学博士，具有20余年半导体存储产品的研发经验并推动多项新技术进入产业化，拥有超过30个半导体芯片和存储技术相关国内外发明专利，在国际集成电路行业重要会议及期刊IEDM、VLSI、Trans on VLSI等上录用发表。作为研发团队负责人和核心成员负责包括DRAM，SRAM，Flash等存储产品的研发并成功实现多款产品的量产或者交付客户，潜心开展新型存储领域的研究，与清华大学、中科院等院校开展合作完成了包括RRAM，FeRAM，SFG等新型存储器测试芯片的设计和测试。

报告题目：基于DRAM的三维异质集成近存计算芯片研究与实现

报告摘要：在以计算为中心的冯•诺依曼架构中，内存和计算是分离的，内存的性能提升，对数据访问、处理和移动的性能改善发挥至关重要的作用。现代工业制造领域中，大容量内存制造工艺相较高性能计算制造工艺发展迟滞，加剧了计算架构在人工智能计算为代表的高性能计算场景中的局限性，限制了人工智能算力的增长。据此，需要探索新的架构，基于DRAM的三维异质集成近存计算架构及其计算芯片方案，不仅利用现有的较为成熟的工艺，还通过创新的架构设计提升性能，达到甚至超越使用先进工艺制造的产品性能。这种技术路线兼顾性能、成本和技术自主可控需求，随着相关技术的不断成熟和优化，其在未来半导体产业中的应用前景将更加广阔。紫光国芯通过工业界标准化三维异质集成技术整合标准动态随机存取存储器和逻辑器件形成的创新性的近存计算架构。该架构中作为计算单元的逻辑器件和作为内存单元的DRAM均使用工业界标准工艺生产，借助三维异质集成技术垂直堆叠计算和内存单元。实现高性能计算能力和大容量、高带宽内存访问能力的优势互补。

王绍迪

知存科技任CEO

王绍迪本科毕业于北京大学，博士毕业于加州大学洛杉矶分校，获评中国创业青年奖，国家万人计划创业领军人才，2023年中国智能计算创新人物。2017年创立知存科技任CEO，专注在存内计算领域，2022年开始量产存内计算芯片，已经应用在二十多种消费产品中。

报告题目：大模型时代的存内计算创新

报告摘要：随着图像、视频等多模态大模型应用的需求不断增长，市场对AI芯片的算力、带宽以及成本、功耗都提出了更高的要求。本次报告中将介绍面向多模态大模型的存內计算潜在方案，重点分享存内计算芯片的技术优势、应用现状和发展潜力，旨在为多模态大模型时代存内计算芯片的发展提供见解。